如第三圖所示，管Ta1、Tb1的一端連接於設置在外部且圖未顯示的效用力供給裝置(例如電源、儲氣槽、壓縮機或真空泵等)另一端連接於各管運送器TCa、TCb。 從效用力供給裝置藉由管Ta1，供給至管運送器TCa的效用力，藉由管Ta2、收容於粗動台WCS1的連結部材92a的圖未顯示的配管部材、配線部材，以及管86a、86b而供給至微動台WFS1。 同樣地，從效用力供給裝置藉由管Tb1，供給至管運送器TCb的效用力，藉由管Tb2、收容於粗動台WCS2的連結部材92a的圖未顯示的配管部材、配線部材，以及管86a、86b而供給至微動台WFS2。 又，以晶圓台WST1、WST2的X軸方向驅動力的反作用力的作用，定盤14A、14B以配衡質量來運作。 如第三圖所示，定盤14A、14B分別藉由複數個浮上升降機構118水平地支持於基盤12A、12B上。
各X頭75x、Y頭75ya、75yb在晶圓台WST1(或WST2)位於投影光學系統PL的正下方時，藉由形成於定盤14B’的光透過部(例如開口)141，將計測光束照射至配置在微動台WFS1(或WFS2)下面的光柵RG。 再者，各X頭75x、Y頭75ya、75yb，以接受來自光柵RG的繞射光，求得微動台WFS1(或WFS2)的XY平面內的位置資訊(也包含θz方向的回轉資訊)。 也就是說，以X頭75x，構成X線性編碼器51(參照第三十二圖)，以一對Y頭75ya、75yb，構成一對Y線性編碼器52、53(參照第三十二圖)。 各X頭75x、Y頭75ya、75yb的計測值，被供給至主控制裝置20(參照第三十二圖)。 主控制裝置20，用一對Y線性編碼器52、53的各計測值，來計測(算出)微動台WFS1(或WFS2)的θz方向的位置(繞Z軸的回轉量)。 主控制裝置20，藉由用X線性編碼器51及一對Y線性編碼器52、53，可在經常曝光位置的正下方(內側)進行微動台WFS1(或WFS2)的XY平面內的位置資訊(包含θz方向的回轉量資訊)的計測。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
例如，將定盤設定為四個的狀況，如第二十七圖所示，也可以將四個定盤14C、14A、14B、14D，在圖未顯示的基盤上，鄰接的定盤相互間藉由特定間隙，以X軸方向並列配置。 該第二十七圖的變形例中，配置有曝光處200、計測處300的定盤14A、14B的X軸方向的寬，相較於前述第一、第二實施形態變成約為一半程度，挾著這些定盤14A、14B，配置著大致同樣尺寸的定盤14C、14D。 這種狀況也與前述相同，各四個定盤14A～14D藉由基盤上圖未顯示的空氣軸承(或回轉軸承)，而被支持著。 又，各定盤14A～14D以前述相同構成的四個定盤驅動系統而可個別地驅動。 如以上構成的曝光裝置100中，交互使用晶圓台WST1、WST2，對特定批數或特定枚數的晶圓進行曝光。
但是，對於某些案例，法拉第電磁感應定律並不適用或使用起來很困難。 勞侖茲力2025 給予作用於粒子的勞侖茲力的公式，將這公式代入牛頓第二運動定律，可以得到粒子的運動方程式。 勞侖茲力 由於原子核的磁矩與其核子成員有關，從核磁矩的測量數據，更明確地，從核磁偶極矩的測量數據，可以研究這些量子性質。
勞侖茲力: 物理
如申請專利範圍第4~6項所述之曝光裝置，其中前述第一部分與第二部分分別以藉由對應前述分界線的特定間隙配置的第一定盤與第二定盤所構成。 並行於對上述微動台WFS2上的晶圓的曝光動作，主控制裝置20，在第一負載位置，在晶圓搬送機構(圖未顯示)與晶圓台WST1之間進行晶圓交換，將新晶圓載置於微動台WFS1上。 在此，第一負載位置是在晶圓台WST1上進行晶圓交換的位置，在本實施形態，決定計測板FM1的位置於初級對準系統AL1的正下方做為決定微動台WFS1(晶圓台WST1)的位置者。 通常，上述的晶圓交換及晶圓對準序列，以曝光序列而快速結束。 因此，當晶圓對準結束，則主控制裝置20，將晶圓台WST2在+X方向驅動，而移動至定盤14B’上的特定待機位置。 在此，將晶圓台WST2在+X方向驅動，則微動台WFS2從微動台位置計測系統70的可計測範圍脫離，(也就是說，從第二計測頭群73照射的各計測光束離開光柵RG)。
- 主控制裝置20根據計測條位置計測系統67的計測值來經常地計測計測條71的相對於主框架BD的相對位置，控制計測條驅動系統65，使計測條與主框架BD間的相對位置不變地(也就是說，變成相同於計測條71與主框架BD被一體地構成)來控制計測條71的位置。
- 更明確地，在第一方向上行進之高頻行進電磁場可因其環繞液體噴流周圍之配置，而較液體噴流之內層更加速液體噴流之外層。
- 如申請專利範圍第79項所述之曝光裝置，更具備將平行於前述第二軸的方向做為長方向的第一計測部材支持部材，與配置有前述第二計測部材的前述至少一部分的前述第一支持部材的位置關係為一定。
- 或者是，以平面馬達將Z軸方向的力作用於晶圓台WST1、WST2，可以構成為使定盤14A’、14B’上磁力浮上。
- 為了使該狀況不要產生，本實施例中，使後述的一對懸掛支持部材74a、74b與計測條71一體化，也就是說，設有一對鎖機構(圖未顯示)，將計測條71固定於一對懸掛支持部材74a、74b。
- 又，為了容易瞭解圖式，在第三十一圖以假想線(兩點虛線)表示對準系統AL1、AL21～AL24。
又，此時主控制裝置20用粗動台位置計測系統68B來計測晶圓台WST2的位置，根據該計測結果，如第二十二圖所示，將晶圓台WST2在定盤14B上以+Y方向驅動(參照第二十二圖中的白色箭頭)。 藉由晶圓台WST2的驅動力的反作用力的作用，定盤14B以配衡質量來運作。 勞侖茲力 又，晶圓台WST2往+X方向移動時，藉由其驅動力的反作用力的作用，也可以使定盤14A以配衡質量來運作。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
第二十五顯示從-X側看曝光裝置1000的側視圖(部分剖面圖)。 又，第二十六圖顯示用於說明曝光裝置1000具備的主控制裝置的輸出入關係的方塊圖。 晶圓台WST1到達至如第二十四圖所示的第一負載位置後，主控制裝置20從用粗動台位置計測系統68A，將晶圓台WST1的XY平面內的位置計測，切換至用編碼器55、56、57的計測。 當晶圓交換(新晶圓W的負載)與編碼器55、56、57(及面位置計測系統58)的重設結束，則主控制裝置20，用初級對準系統AL1來檢測計測板FM2上的第二基準記號。
勞侖茲力: 平面迴圈
因此，上述對準記號的計測時，晶圓台WST2不會在X方向被驅動。 勞侖茲力 在這種狀況下，連動於往上述晶圓台WST2的Y軸方向的移動動作，各對準系統AL1、AL22～AL24沿著檢測區域(例如相當於檢測光照射區域)內依序配置的X軸方向來檢測配列的複數個對準記號(樣本記號)。 勞侖茲力2025 又，上述實施形態中，說明關於以主控制裝置20，根據計測條位置計測系統67的計測值，使對於投影光學系統PL的相對位置不變地來控制計測條71的位置，但不限於此。 又，上述實施例中，說明關於各定盤14A、14B以基盤12A、12B被個別地支持的狀況，但不限於此，也可以將各定盤14A、14B以單一基部材在XY平面內可移動地被支持。
勞侖茲力: 磁場
例如美國專利第7,023,610號說明書所揭露，從做為真空紫外光的DFB半導體雷射或光纖雷射振盪的紅外線域，或將可見光域的單一波長雷射，以例如添加鉺(或鉺與鐿兩者)的光纖放大器來增幅，就算是用非線形光學結晶，用變換紫外光波長的諧波也可以。 微動台WFS1在X軸方向沿著以X軸方向延設的導引部材94a、94b，可以較其他五自由度方向長的行程移動。 如第五圖與第五圖所示，微動台WFS1具備由平面視角矩形的部材所組成的本體部80，固定於本體部80的+Y側的側面的一對微動滑動部84a、84b，以及固定於本體部80的-Y側的側面的一對微動滑動部84c。 連結部材92a、92b係中空地被形成，其內部收容著用於供給效用力至微動台WFS1的圖未顯示的配管部材、配線部材等。 連結部材92a及/或92b的內部也可以收容各種光學部材(例如空間像計測器、照度不均計測器、照度監測器、波前像差計測器等)。
勞侖茲力: 勞侖茲力方程式的協變形式
例如，行進電磁場可具有介於0.1百萬赫茲與100百萬赫茲之間的交流頻率。 交流頻率可依據進一步方法參數、特別地根據待霧化之液體噴流材料及/或待生成之微粒或微滴的大小而被調整或調整。 在一具體實施例中，高頻行進電磁場可具有一交流頻率，交流頻率為至少0.1百萬赫茲、較佳地至少1百萬赫茲、更佳地至少10百萬赫茲、又更佳地至少100百萬赫茲。 交流頻率可依據進一步方法參數、特別地根據待霧化之液體噴流的材料及/或待生成之微粒或微滴的大小而調整。 依據本發明之方法的又一步驟係生成圍繞液體噴流之複數個高頻行進電磁場，上述高頻行進電磁場在第一方向上行進且在第一方向上加速液體噴流，從而霧化液體噴流。 此等目的係藉一種依據獨立專利請求項之分離導電液體的方法以及裝置解決。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
又，構成各定盤驅動系統60A、60B的平面馬達的線圈單元與磁石單元的配置，也可以相反(基盤側具有磁石單元、定盤側具有線圈單元的移動線圈式)於上述(移動磁式)的狀況。 定盤14A、14B的3自由度方向的位置資訊是以例如包含編碼系統的定盤位置計測系統69A、69B(參照第七圖)分別獨立地求得。 各定盤位置計測系統69A、69B的輸出被供給至主控制裝置20(參照第七圖)。 主控制裝置20用(根據)定盤位置計測系統69A、69B的輸出來控制定盤驅動系統60A、60B，根據需要分別控制定盤14A、14B的XY平面的3自由度方向位置。 主控制裝置20係當定盤14A、14B做為後述的配衡質量來運作時，從定盤14A、14B的基準位置的移動量被收斂於特定範圍內，因為回到其基準位置，用(根據)定盤位置計測系統69A、69B的輸出，藉由定盤驅動系統60A、60B將定盤14A、14B驅動。 也就是說，定盤驅動系統60A、60B與微調馬達以相同目的被使用。
勞侖茲力: 勞侖茲力
請了解，在一具體實施例中，依據本發明之方法及依據本發明之裝置亦可包括具有線圈總成之裝置與環形噴嘴的一組合，而無鈍氣噴嘴。 線圈總成22與鈍氣噴嘴30係同軸地配置，其中線圈總成22分別圈繞鈍氣噴嘴30及鈍氣噴嘴30內部。 鈍氣流32流動漫過鈍氣噴嘴30，依層流方式加速由數個接連液滴組成之液體噴流10(與第2圖類似)。 此經由鈍氣噴嘴30或經由鈍氣流32之層流加速(與第2圖類似)係與導電液體噴流10經由線圈總成22之電磁加速(與第1圖類似)疊加。 第3圖顯示在一電極感應熔化(鈍性)氣體霧化方法中，依據本發明之程序的作業模式之示意圖，或者在一電極感應熔化(鈍性)氣體霧化工廠200中，依據本發明之裝置20的一剖視圖之一剖面。 勞侖茲力2025 在一具體實施例中，高頻行進電磁場可具有一交流頻率，交流頻率至少0.1百萬赫茲、較佳地至少1百萬赫茲、較佳地至少10百萬赫茲、更佳地至少100百萬赫茲。
勞侖茲力: TWI536111B – 曝光裝置、曝光方法及裝置製造方法
如申請專利範圍第101項所述之曝光裝置，其中前述計測系統，在至少不在同一直線上的三處，求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面的位置資訊。 如申請專利範圍第76項所述之曝光裝置，更具備基部材，支持前述複數個導面形成部材可在平行於前述二維 平面內移動。 如申請專利範圍第55或56項所述之曝光裝置，其中在前述計測面，配置將平行於前述二維平面的方向做為週期方向的光閘；以及前述計測部材包含編碼頭，前述編碼頭將計測光束照射至前述光閘，接收來自前述光閘的繞射光。 如申請專利範圍第28項所述之曝光裝置，其中前述第一、第二移動體是以前述第一驅動系統於前述定盤上在六自由度方向被驅動。 勞侖茲力 如申請專利範圍第1~6項中任一項所述之曝光裝置，其中在前述計測面配置將平行於前述二維平面的方向做為週期方向的光閘；前述計測部材包含編碼頭，前述編碼頭將計測光束照射至前述光閘，接收來自前述光閘的繞射光。 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材以平行於任一前述第一軸及第二軸的方向做為長方向被配置。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
又，第二狀態是使氣動避震器26內的氣體減少，且未將壓縮氣體供給至空氣浮動器29的狀態。 在第二狀態下，浮動接觸防止部材35為該著地狀態，柱部材33變成接觸定盤14A或14B的狀態(以下稱該狀態為「下降狀態」)。 第一狀態是將氣體填充至氣動避震器26，且未將壓縮氣體供給至空氣浮動器29的狀態。 在第一狀態下，浮動接觸防止部材35接觸基盤12A或12B的上面(以下稱該狀態為「著地狀態」)，柱部材33未接觸定盤14A或14B的下面(以下稱該狀態為「上升狀態」)。
由此，各Z頭76a～76c構成計測在各照射點的微動台WFS1(或WFS2)的面位置(Z軸方向的位置)的面位置計測系統54(參照第七圖)。 三個Z頭76a～76c的計測值分別被供給至主控制裝置20(參照第七圖)。 又，本實施形態中，雖然採用移動磁式的平面馬達做為微動台驅動系統64A、64B，但也不限於此，也可以採用移動線圈式的平面馬達，該平面馬達係配置線圈單元於微動台的微動滑動部，配置磁石單元於粗動台的導引部材。
如申請專利範圍第76~78項中任一項所述之曝光裝置，其中前述計測系統可進一步求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面方向的位置資訊。 如申請專利範圍第84項所述之曝光裝置，其中前述第一相對位置計測系統，求得對於前述第一計測部材支持部材的前述第一支持部材的六自由度方向的位置資訊；以及前述驅動系統將前述第一計測部材支持部材在前述六自由度方向驅動。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述移動體係配置有前述計測面於第一面，前述第一面平行於對向前述導面形成部材的前述二維平面，前述物體被載置於第二面，前述第二面平行於前述第一面相反側的前述二維平面。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述移動體包含在前述導面上驅動的第一移動部材，與被支持於前述第一移動部材而可相對移動的第二移動部材；以及前述計測面被配置於前述第二移動部材。 如申請專利範圍第69項所述之曝光裝置，其中前述計測系統在至少不在同一直線上的三處求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中 前述計測系統，可進一步求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。
又，在上述各實施形態，光柵RG可以以保護部材，例如蓋玻璃所覆蓋而保護著。 蓋玻璃可設為覆蓋本體部80的下面的幾乎整面，也可以設為覆蓋包含光柵RG的本體部的下面的一部分。 又，由於保護光柵RG需要足夠的厚度，板狀保護部材為較佳，也可以對應素材用薄膜狀的保護部材。 定盤14A、14B如第十八圖所示，藉由圖未顯示的空氣軸承(或回轉軸承)被支持於基盤12的凹部12c的兩側部分的上面12d。 一對微動滑動部84a、84b分別由前述的導引部材94a所支持，微動滑動部84c由導引部材94b所支持。 也就是說，微動台WFS對於粗動台WCS是不在同一直線的三處被支持。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
藉由將搭載曝光對象的物體的平台位置以編碼器計測，可將起因於空氣搖動的位置計測誤差的發生趨近於零。 因此，根據編碼器的計測值，變得能高精確度地決定平台位置，結果可以高精確度的轉寫至標線片圖案的物體上。 又，拍攝區域與拍攝區域合成的步進與往復式的縮小投影曝光裝置可以適用於上述各實施形態。 又，也可以構成微動台位置計測系統，在晶圓台的移動範圍全區能對其位置計測。
對此，計測條驅動系統65不能對計測條71作用Z軸方向的力的狀況，例如也可以在計測條驅動系統內，將設置於地面側的部材(線圈單元18或磁石單元79)，藉由防振機構來設置，而防止振動等外部擾亂。 並行於上述晶圓台WST1的移動，主控制裝置20如第二十三圖所示，在-X方向驅動晶圓台WST2，在投影光學系統PL的正下方決定計測板FM2的位置。 勞侖茲力2025 首先，主控制裝置20從用粗動台位置計測系統68B的計測，將晶圓台WST2的XY平面內的位置計測，切換至用編碼器51、52、53的計測。
高頻行進電磁場可譬如具有介於0.1與100百萬赫茲之間的交流頻率。 又，裝置可包括一錐形感應線圈，與電極同軸且位於電極之下方端的區域中，及調整成適應於熔化電極以生成熔體噴流。 電極及感應線圈可位於一外殼中，其中真空或鈍性大氣施加至外殼。 在一具體實施例中，液體源可為一熔體噴流源，特別地呈一電極。 例如，電極可包括鈦、鈦合金、鋯基、鈮基、鎳基、或鉭基合金、貴金屬或貴金屬合金、銅或鋁合金、特殊金屬或特殊金屬合金，或者由上述者組成。 電極可具有大於50毫米及達150毫米之直徑，以及大於500毫米及達1000毫米之長度。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
因此，晶圓台WST1(粗動台WCS1、微動台WFS1)的移動，成為定盤14A、14B的振動主因，不會對晶圓台WST2造成惡影響。 計測條71如第三圖與第三圖所示，被配置於一對定盤14A、14B的第一部分14A1、14B1的下方。 如第三圖與第三圖所示，計測條71是由例如將Y軸方向做為長方向的剖面矩形的樑狀部材所組成。 勞侖茲力2025 在計測條71的內部(底部)配置有包含複數個磁石的磁石單元79。
又，在目前的說明，援用已引用的關於曝光裝置等的所有公報、國際公開、美國專利申請公開說明書及每國專利說明書的揭露，來做為本說明書記載的一部分。 曝光裝置的用途不限於半導體製造用的曝光裝置，例如，將液晶顯示元件圖案轉寫於方形的玻璃板的液晶用曝光裝置，或用以製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微機械及DNA晶片等的曝光裝置都可廣泛適用。 又，不只是半導體元件等的微裝置，以光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子束曝光裝置等，為了製造上述裝置使用的標線片或光罩，轉寫電路圖案至玻璃基板或矽晶圓等的曝光裝置可適用於上述各實施形態。 勞侖茲力2025 此外，將固定或形成於一面的透明板的另一面，接觸或接近配置於晶圓支架的內面，且其透明板的一面側設有保護部材(蓋玻璃)，或者是，也可以不設有保護部材(蓋玻璃)，將固定或形成光柵RG的透明板的一面，接觸或接近配置於晶圓支架的內面。
隨著距離的增遠，磁偶極矩部分會變得越加重要，成為主要項目，因此，磁矩這術語時常用來指稱磁偶極矩。 又，相反於上述，就算是一者的晶圓台上的晶圓曝光時的其晶圓台的驅動力的反作用力作用於定盤14B’，其反作用力，也不會影響到定盤14A’及另一者的晶圓台。 在此，晶圓交換中，伴隨著該晶圓交換，在晶圓台WST2會產生振動，在本第四實施形態，由於定盤14A’與定盤14B’機械地分離，所以該振動，不會有對定盤14B’造成影響之虞。 在定盤14B’如第三十圖所示，平行於對向於基盤12’的凹部12c的Y軸方向延伸的凹部14C，被形成於其底面。 又，雖然圖未顯示，但在定盤14A’，對向於凹部12c形成有凹部14c。 接下來，因為進行曝光裝置100的晶圓台WST1、WST2等的維持，所以說明關於將晶圓台WST1、WST2等搬出至曝光裝置100的外部(收容曝光裝置本體的室的外部)時的步驟。
又，將晶圓台WST1與晶圓台WST2保持在上述三個並列狀態下驅動的狀況，將晶圓台WST1與晶圓台WST2的間距(間隙)、微動台WFS1與粗動台WCS1的間距(間隙)及粗動台WCS2與微動台WFS2的間距(間隙)設定成防止或抑制液體Lq的漏出為較佳。 在此，接近包含成為上述並列狀態的兩個部材間的間距(間隙)為零的狀況，也就是說還包含兩者接觸的狀況。 又，各頭單元50a、50b具有例如相同於光碟機裝置等所採用的光學讀取頭的光學式移位感應器的Z頭(圖示省略)。 具體來說，頭單元50a具有在X軸方向以間隔分離來配置的兩個Z頭，頭單元50b具有一個Z頭。