離子（英語：Ion）是指原子或分子失去或得到電子而形成的帶電荷的粒子。 得失電子的過程稱為電離，電離過程的能量變化可以用電離能來衡量。 由於導電的原理 係利用純矽中摻入雜質（Implant dopant）後之特性，故離子植 入及雜質擴散是用來控制半導體電性的關鍵程序。 相較之下，前 者具有精確控制雜質量、雜質分佈再重整與可低溫操作之優點。 離子夾是美髮造型電器，亦稱為直髮夾，屬於整髮器，主要原理為透過電力加熱兩片面板，並以手動方式逐一分次夾取適當髮量，藉由高溫面板使捲曲毛髮變得直順。 離子夾可將不規則或捲曲髮燙平，過程中因順向滑動燠熱，可彙整毛鱗片使其閉合，故適當使用離子夾可使原本捲曲頭髮變得光亮直順。
離子夾加熱溫度多數為攝氏80度至240度，使用過程應注意高溫面板，避免接近頭皮，以免高溫燙傷。 早在十八世紀末期至十九世紀，就已經有在使用離子電泳法，只是當時人們還不知道這個就叫此名稱。 一九零三年，LeDuc發現了離子電泳法，利用連續直流電，將生理所需的離子打入身體的表皮及黏膜組織內以達療效。
離子植入原理: 相關條目
如今，具備嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要高達 60 道植入步驟。 其中三類是屬於視線離子束流系統：高電流 (可供低能量和/或高劑量應用)；中電流 離子植入原理 (供較低劑量)；高能源 (供非常深的植入)。 第四類系統運用電漿摻雜，可供需要超高劑量或均勻摻雜區的應用，這些都是視線離子束流系統無法達到的區域 (例如在三維鰭式電晶體內的側壁摻雜)。 這些系統可提供尖端的波束角控制、劑量控制、均勻度和晶圓對晶圓可重複性。 在化學反應中，通常是金屬元素原子失去最外層電子，非金屬原子得到電子，從而使參加反應的原子或原子團帶上電荷。 陰、陽離子由靜電作用結合形成不帶電的化合物叫離子化合物。
由於離子的動能與大小的差異，此方法之電漿離子的種類及所植入離子的深度，可透過植入參數之設計來加 以調控[6]。 離子植入 (一種摻雜形式) 是積體電路製造中不可或缺的一環。 隨著晶片設計的日益複雜，所需的離子植入的步驟亦相對增加。 離子導入法（Iontophoresis），又稱為離子電泳法，是利用連續性之直流電流，以同電性相斥的原理，將離子或帶電的化學藥物驅送至體內的治療方法。 陽離子（英文：cation或positive 離子植入原理2025 ion）是指中性的原子或者分子失去電子，而產生的帶正電荷的微觀帶電粒子，正式不會稱「正離子」。 陰離子（英文：anion或negative ion）是指中性的原子或分子獲得電子而產生帶負電荷的微觀帶電粒子，正式不會稱「負離子」。
離子植入原理: 離子夾
某些物質如酸、鹼、鹽等溶於水時，會產生離子化，在水中分解成帶正電和負電的離子，就可藉由離子的移動導電。 當我們置入通過連續性直流電的正負兩個電極時，帶正電性離子會遠離正極向負極移動，而帶負電性離子則離開負極向正極移動，利用離子在水中轉移，形成電流通路。 利用上述之觀念，把兩電極分別置放，以人體表面做為兩電極溝通的介質，利用同電性相斥，使離子移動時就會進入人體，達到將藥導入的療效。 某些物質如酸、鹼、鹽等溶於水時，會產生離子化，在水中分解成帶正電和負電的離子，就可借由離子的移動導電。
- 在元素周期表上，VII族原子的電子親合能最大，而惰性氣體的電子親合能最小。
- 離子注入可以導致核轉變，或改變某些固體材料的晶體結構。
- 第四類系統運用電漿摻雜，可供需要超高劑量或均勻摻雜區的應用，這些都是視線離子束流系統無法達到的區域 (例如在三維鰭式電晶體內的側壁摻雜)。
- 相較之下，前 者具有精確控制雜質量、雜質分佈再重整與可低溫操作之優點。
- 陰、陽離子由靜電作用結合形成不帶電的化合物叫離子化合物。
- 在化學反應中，通常是金屬元素原子失去最外層電子，非金屬原子得到電子，從而使參加反應的原子或原子團帶上電荷。
- 如今，具備嵌入式記憶體的 CMOS 積體電路可能需要高達 60 道植入步驟。
將某一種原子直接射入矽晶圓，使摻雜原子分佈在矽晶圓中稱為「離子佈植(Ion implantation)」，類似將子彈直接打到牆壁裡一樣。 被植入矽晶圓的雜質原子就可以形成N型或P型兩種不同性質的半導體，這是目前先進製程使用的方式。 離子植入原理2025 離子注入是一種將特定離子在電場裡加速，然後嵌入到另一固體材料之中的技術手段。
離子植入原理: 離子植入
但分子離子，由於振動能級和轉動能級的存在，光致去吸附的閾值並不和電子親合能直接相關。 形成穩定陰離子是放熱反應，這部分釋放的能量就稱為電子親和能。 在元素周期表上，VII族原子的電子親合能最大，而惰性氣體的電子親合能最小。 離子植入原理 一種是從外層電子對原子核電場的屏蔽（即，達成滿殼層穩定結構）的角度出發，另一種是從中性粒子在電子所產生的電場中的極化效應出發。 前一種對理解原子離子生成很有幫助，而後一種對分子離子的研究來講，則十分便利。 離子植入原理 離子獲得一定動能後，可進入材料一定深度之格隙位置，造成材料表面結構 變化，形成數十至數千奈米深度之處理層。
離子植入原理: 離子植入法
以中性分子為例，將電子移近分子時，分子在電子所產生的電場的作用下發生極化，產生的電偶極矩和電子所攜帶的電荷互相吸引。 離子植入原理 這電磁互相作用勢能和電子和分子中心的距離的四次方成反比。 離子植入原理 原子半徑愈大，原子的失電子能力較強，金屬性也較強；相反，原子半徑愈小，原子的失電子能力愈弱，金屬性也較弱。
離子植入原理: 原理
使用這個技術可以改變固體材料的物理化學性質，現在已經廣泛應用於半導體器件製造和某些材料科學研究。 離子注入可以導致核轉變，或改變某些固體材料的晶體結構。 離子植入是將具有一定能量的離子植入固體表面的方法，藉由將原子引進固體基座的表面層或其中特定的位置，使得材料的表面和本體性能得到改善。 目前，離子植入技術已廣泛地應用於物理與材料科學的範疇。 離子植入原理 原子之陰離子的結構非常簡單，通常只有一個穩定的束縛態，所以它的電子親和能可以通過測量陰離子的光致去吸附效應（Photodetachment）的閾值頻率得到。